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| Intelligente Leistungs-Module |

Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 6. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM).
Der kompakte Aufbau bietet gerade für raue Umgebungsbedingungen wie in der Antriebstechnik deutliche Vorteile.
Der 74-seitige 2012-er-Katalog mit dem aktuellen Mitsubishi-Sortiment von IGBT-, MOSFET und Intelligent-Power-Modulen, Hochspannungs- und Hochleistungs-Halbleitern sowie dem Berchnungsprogramm MELCOSIM ist da: Ab sofort können...[mehr]
Sie haben es dieses Jahr nicht nach Nürnberg aufs Messegelände geschafft oder möchten sich ein Exponat nochmals ansehen? Dann bieten wir Ihnen hier eine kleine Foto-Dokumentation unseres Messestand s und der einiger...[mehr]
Melcosim berechnet die Verlustleistungen und das Temperaturverhalten der IGBT-Module in Ihrer Anwendung. Die modulspezifischen Daten sind in dem Programm hinterlegt. Über eine einfache Eingabemaske werden die Parameter der...[mehr]
Zur Entwicklungsunterstützung gibt es mit dem EVBPS22056 und dem EVBPS2xA7x aktuell zwei Evaluation Baords von Mitsubishi Electric bei HY-LINE Power Components, die die Entwicklung mit DIP-IPMs der vierten Generation mit 600 V...[mehr]
Mitsubishi Electric und HY-LINE Power Components haben ihr Distributionsabkommen erweitert: HY-LINE Power Components ist nun auch offizieller Distributor für Mitsubishi-Leistungshalbleiter in Österreich. Die technische...[mehr]
Die Applikationsnotiz GENERAL CONSIDERATIONS FOR IGBT AND INTELLIGENT POWER MODULES von Mitsubishi Electric bietet grundsätzliche Hinweise zum Umgang mit Bipolartransistoren mit isolierter Gateelektrode (IGBT) und ...[mehr]
IGBT-Module | ||
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IPM - Intelligente Power Module (mit IGBT) | ||
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DIP-IPM (IPM im Dual Inline Package) und DIPPFC | ||
| | Übersicht |
AS-IPM (Application Specific IPM) | ||
| | Übersicht |
High Voltage IGBT-Module, Dioden-Module und IPM | ||
| Module mit einer Sperrspannung zwischen 1700 und 6500 V. | Übersicht |
MOSFET-Module | ||
| 3-Phasen Vollbrücken-Module auf MOSFET-Basis mit Sperrspannungen von 75, 100 oder 150 V bei Strömen von 100, 200 oder 300 A. | Übersicht |
Der von HY-LINE Power Components vertretene Hersteller Mitsubishi bietet seine IGBT-Module mittlerweile in der 6. Generation an. Nach Planar-, Trench- und schließlich CSTBT-Technologie (Carrier Stored Trench Bipolar Transistor) ist nun Advanced CSTBT angesagt.
Dünneres Substrat, verbesserte Dotierung und dichteres Packen der Trench Gates führen zu geringeren Schaltzeiten, reduziertem Rauschen, 20% verringerter Verlustleistung, 23% reduzierter Sättigungsspannung und einer insgesamt um 30% verbesserten Performance (FOM – Figure Of Merit).
Der offensichtlichste Pluspunkt ist jedoch die auf 17 mm reduzierte Bauhöhe: 17 statt 30 mm entwickelt sich zum neuen Industriestandard für Leistungselektronik-Module, wie er auch bei den ebenfalls von HY-LINE angebotenen Gleichrichtern von Powersem zu finden ist. Somit können nun Powersem-Gleichrichter und Mitsubishi-Treiberstufen der neuen Bauhöhe elegant mit Stromschienen auf einer Ebene in einer Baugruppe verbunden werden.
Die IGBT-Module enthalten Einzel- bis Siebenfach-Versionen mit Spannungsfestigkeiten von 600, 1200 und 1700 Volt – die ersten beiden Varianten sind bereits lieferbar – und Strombelastbarkeiten von 50 bis 1000 A.
