Kostengünstige bedrahtete Klein-MOSFETs

18.03.2013

MOSFETs kennt man als Bauteile in Leistungsgehäusen oder als SMD-Miniaturausführung. Als preiswerte Alternative zum klassischen dreibeinigen Kleinleistungs-Bipolar-Transistor hat APEC (Vertrieb: HY-LINE Power Components) den AP4002T auf den Markt gebracht: Dieser im bedrahteten TO-92-Kunststoffgehäuse verpackte N-Kanal Anreicherungs-MOSFET bietet eine Drain-Source-Durchbruchsspannung von mindestens 600 V, einen Drain-Source-Durchgangswiderstand von max. 5 ? im eingeschalteten Zustand und einen maximalen Dauer-Drainstrom von 400 mA. Damit ist er unter anderem als Schalttransistor für Universalnetzteile mit Weitbereichseingang geeignet. Die Einschaltzeit beträgt maximal 10 ns, die zulässige Verlustleistung 2 W.

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