Sehr kompakter P-Kanal Anreicherungs-Leistungs-MOSFET

28.10.2013

Einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET im platzsparenden SOT-363-Gehäuse bringt APEC (Vertrieb: HY-LINE Power Components) mit dem AP2325GEU6-HF-3 auf den Markt.

Der MOSFET ist gut für Anwendungen wie kompakte Lastschalter geeignet; er bietet eine minimale Drain-Source-Sperrspannung (BVDSS) von -20 V, einen maximalen Durchgangswiderstand (RDS(ON)) von 145 m? und einen maximalen Dauer-Drain-Strom (ID) von 1,8 A bei 25°C.

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Superkleiner P-Kanal Anreicherungs-Leistungs-MOSFET - HY-LINE Power.pdf

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