Transphorm GaN HeMTs bei HY-LINE Power Components ab Lager lieferbar

08.07.2014

Der Hersteller Transphorm wird ab sofort vom Stromversorgungs- und Leistungselektronik-Spezialisten HY-LINE Power Components vertreten.
Transphorm fertigt High Electron Mobility-Transistoren aus Gallium-Nitrid (GaN HEMTs) im TO220- und PQFN-Gehäuse.

GaN-Leistungshalbleiter bieten etliche Vorteile gegenüber Silizium-MOSFETs und -IGBTs, wie schnelleres Schalten mit geringeren Verlusten. Somit eignen sie sich insbesondere für hohe Schaltfrequenzen. Der geringe Einschaltwiderstand, die Abwesenheit eines Miller-Plateaus und der reduzierte Schaltungsaufwand – beispielsweise sind keine Freilaufdioden in Brückenschaltungen erforderlich – sind weitere Vorteile dieser Technologie. Transphorm GaN-HEMTs können mit Treiberschaltungen für Si-MOSFETs angesteuert werden. Die Einschaltzeit beträgt nur 3,5 ns!

Transphorm HEMTs sind bei HY-LINE Power Components ab Lager lieferbar; ebenso sind Entwicklungsboards verfügbar.

Weitere Informationen erhalten Sie unter www.hy-line.de/transphorm

Transphorm - GaN HeMTs ab Lager lieferbar bei HY-LINE Power Components - HY-LINE Power PM_A10616-10.pdf
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