Si- und SiC-IGBTs, GaN-HEMTs, Stromversorgung: HY-LINE Power Components auf der PCIM 2015

22.04.2015

Die HY-LINE Power Components (www.hy-line.de/power) lädt wieder vom 19. bis zum 21. Mai 2015 zur PCIM in Nürnberg in Halle 9 an Stand 535 ein.

Gezeigt werden IGBT-, IPM-, MOSFET- und Gleichrichtermodule der neuesten Generation, insbesondere auch Wideband-SiC- und GaN-Schalter (HEMTs) von Mitsubishi und transphorm. Letztere sind mit eigenen Live-Demos von GaN-Stromversorgungslösungen und den Mitarbeitern von transphorm am Stand der HY-LINE Power Components vertreten.

Zur Steuerung dieser Leistungshalbleiter und zur Stromversorgung auch anspruchsvollster Geräte sind universelle und Plug & Play-IGBT- und MOSFET-Treiber sowie AC/DC- und DC/DC-Stromversorgungsmodule höchster Zuverlässigkeit von 0,25 bis 1200 W, die auch zur IGBT-Highside-Versorgung geeignet sind, im Portfolio.

Ein weiteres Highlight sind galvanisch getrennte, bidirektionale Schnittstellenbausteine mit VDE-Zertifizierung, einer Isolationsspannung bis 5 kV und über 8 mm Kriechstrecke für höchste Datenraten bis zu 100 MBit/s sowie unterschiedlichen Bussen wie I²C, CAN, RS485, RS422 oder Profibus.

Verschleißfreie Hochleistungs-Folienkondensatoren für Zwischenkreise und Superkondensatoren bis zu 8000 F, über 20 Jahren Lebensdauer und geringster Selbstentladung als Batterieersatz aber auch andere anspruchsvolle Leistungs-Anwendungen bis zu Elektrofahrzeugen sowie moderne Induktivitäten auch in SMD-Ausführung als Speicherdrossel, Leistungs- und Steuerübertrager in Ringkern- und Mehrkammerbauweise, Brennstoffzellen, digitale Stromversorgungstechnik und LED-Treiber für kleine und große Leistungen runden das Programm von HY-LINE Power Components ab.

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Si- und SiC-IGBTs, GaN-HEMTs, Stromversorgung - HY-LINE Power Components A10661-03.pdf

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