GaN HEMTs im TO-247-Gehäuse ab Lager lieferbar bei HY-LINE Power Components

10.06.2015

transphorm, vertreten vom Stromversorgungs- und Leistungselektronik-Spezialisten HY-LINE Power Components, fertigt High Electron Mobility-Transistoren aus Gallium-Nitrid (GaN HEMTs) im TO-220-, im PQFN- und nun mit dem TPH3205WS auch im TO-247-Gehäuse. Mit letzterem sind Spitzenströme von 140 A und Dauerströme von 35 A bei einer Schaltspannung von 600 V und nur 63 Milliohm Durchgangswiderstand sowie nur 7,2 ns Einschaltzeit möglich. Das TO-247-Gehäuse bietet einen geringen thermischen Übergangswiderstand, einfache Montage mit robustem Aufbau und Platz für einen großen, leistungsfähigen Chip und ist auch für die sehr schnell schaltenden GaN-HEMTs geeignet.

GaN-Leistungshalbleiter bieten etliche Vorteile gegenüber Silizium-MOSFETs und -IGBTs, wie schnelleres Schalten mit geringeren Verlusten. Somit eignen sie sich insbesondere für hohe Schaltfrequenzen. Der geringe Einschaltwiderstand, die hohen zulässigen Arbeitstemperaturen bis über 150°C, die Abwesenheit eines Miller-Plateaus und der reduzierte Schaltungsaufwand – beispielsweise sind keine Freilaufdioden in Brückenschaltungen erforderlich – sind weitere Vorteile dieser Technologie. transphorm GaN-HEMTs können mit Treiberschaltungen für Si-MOSFETs angesteuert werden.

transphorm HEMTs sind in allen drei Gehäuseausführungen bei HY-LINE Power Components ab Lager lieferbar; ebenso sind Entwicklungsboards verfügbar.

Weitere Informationen unter www.hy-line.de/transphorm

GaN HeMTs im TO-247-Gehaeuse ab Lager lieferbar bei HY-LINE Power A10661_05.pdf
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