»High Electron Mobility Transistor – der HEMT«: Fachartikel von HY-LINE über Gallium-Nitrid-Halbleiter

08.09.2015

MOSFETs sind inzwischen neben Hochfrequenz- auch Leistungsbauteile geworden. Doch auch andere Bauteile, die man eher mit HF in Verbindung bringt, sind im Power-Segment ebenso gut aufgehoben und
bringen dort große Vorteile. So der Gallium-Nitrid-HEMT. Aber wie geht man konkret damit um? Der Fachartikel erschien in der Elektronik power vom Juni 2015 und ist zusätzlich online verfügbar.

High Electron Mobility Transistor – der HEMT

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