»TO-247-Gehäuse verbessert Wirkungsgrad für 600-V-GaN-Transistoren«: Neuer Fachartikel über Gallium-Nitrid-Halbleiter von transphorm

03.09.2015

Warum sich ein TO-247-Gehäuse gut für GaN-Transistoren eignet, demonstriert der von HY-LINE Power Components vertretene Hersteller Transphorm mit Messreihen an realen PFC-Schaltungen. Die Halbleiter schalten 600 V in wenigen Nanosekunden bei Verlustleistung im Wattbereich. Besonders für Wechselrichter bis zu mehreren Kilowatt wird die GaN-Technologie zunehmend attraktiver. Der Fachartikel erschien in der elektronik industrie August 2015 und ist zusätzlich online verfügbar.

TO-247-Gehäuse verbessert Wirkungsgrad für 600-V-GaN-Transistoren

HY-LINE Contact

Helpdesk 089 / 614 503 0

E-Mail info@hy-line.de