Erster 650-V-GaN-HEMT mit nur 41 mΩ lieferbar

18.05.2016

transphorm, vertreten vom Stromversorgungs- und Leistungselektronik-Spezialisten HY-LINE Power Components, fertigt High Electron Mobility-Transistoren aus Gallium-Nitrid (GaN HEMTs). Der neue TPH3207 schaltet Spitzenströme von 220 A und Dauerströme von 47 A bei einer Schaltspannung von 650 V und nur 41 Milliohm Durchgangswiderstand sowie einem Qrr (Reverse Recovery Charge) von nur 175 nC bei voller JEDEC-Qualifikation.

Die Bausteine bringen die Vorzüge der GaN-Technologie in Applikationen ein, die bisher auf den Einsatz von Silizium angewiesen waren. So lassen sich Lösungen mit hoher Leistungsdichte für Hochspannungs-Leistungsumwandlungsanwendungen erzielen, die weniger Komponenten benötigen und zuverlässiger sind. Besonders vorteilhaft ist dies in hart schaltenden Brücken sowie brückenlosen Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (PFC)-Designs mit einem kontinuierlichen Stromfluss (CCM - continuous conduction mode), wie sie in On-Board-Ladegeräten, Solar-Wechselrichtern, Telekommunikationsnetzteilen und anderen Energieumwandlungsanwendungen zu finden sind.

Ergänzt wird das Portfolio durch die ebenfalls neue TPH3208-Familie mit 650 V Schaltspannung, 130 mOhm Durchgangswiderstand, 21 A Dauer- und 80 A Spitzenstrom sowie 54 nC Qrr in den Standard-Gehäusen TO-220 und PQFN.

GaN-Leistungshalbleiter eignen sich für hohe Schaltfrequenzen. Der geringe Einschaltwiderstand, die hohen zulässigen Arbeitstemperaturen bis über 150°C, die Abwesenheit eines Miller-Plateaus und der reduzierte Schaltungsaufwand – beispielsweise sind keine Freilaufdioden in Brückenschaltungen erforderlich – sind weitere Vorteile dieser Technologie.

Weitere Informationen erhalten Sie unter www.hy-line.de/transphorm

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