Transphorm

GaN-HEMTs und -module

Produktkategorien des Herstellers

MOSFETs, GaN-Schalter

Sowohl im Schaltnetzteil als auch in der Leistungselektronik...

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  • Entwickler haben Erfahrung mit GaN für HF- und LED-Anwendungen seit 2000
  • Zusammenarbeit mit Fujitsu GaN-Division
  • Produkte sind ab Lager lieferbar!

Zu allen Transphorm-Produkten gibt es:

  • Applikationsunterstützung 
  • SPICE Modelle
  • Entwicklungskits

 

 

»High Electron Mobility Transistor – der HEMT«: Fachartikel von HY-LINE über Gallium-Nitrid-Halbleiter

MOSFETs sind inzwischen neben Hochfrequenz- auch Leistungsbauteile geworden. Doch auch andere Bauteile, die man eher mit HF in Verbindung bringt, sind im Power-Segment ebenso gut aufgehoben und
bringen dort große Vorteile. So der... mehr

»TO-247-Gehäuse verbessert Wirkungsgrad für 600-V-GaN-Transistoren«: Neuer Fachartikel über Gallium-Nitrid-Halbleiter von transphorm

Warum sich ein TO-247-Gehäuse gut für GaN-Transistoren eignet, demonstriert der von HY-LINE Power Components vertretene Hersteller Transphorm mit Messreihen an realen PFC-Schaltungen. Die Halbleiter schalten 600 V in wenigen Nanosekunden bei... mehr

GaN HEMTs im TO-247-Gehäuse ab Lager lieferbar bei HY-LINE Power Components

transphorm, vertreten vom Stromversorgungs- und Leistungselektronik-Spezialisten HY-LINE Power Components, fertigt High Electron Mobility-Transistoren aus Gallium-Nitrid (GaN HEMTs) im TO-220-, im PQFN- und nun mit dem TPH3205WS auch im... mehr

Neue HY-LINE-Broschüre „Power im Fokus“

Das gesamte Lieferprogramm der HY-LINE Power Components für Leistungselektronik und Stromversorgungstechnik ist nun in einer 32-seitigen farbigen Broschüre vereint.
Stromversorgungen finden sich von kompakten Wandlermodulen ab 0,25 Watt bis zu... mehr

transphorm GaN-HEMTs jetzt auch im TO-247-Gehäuse lieferbar

Mit nur 63 mOhm Durchgangs-Widerstand und 34 A Dauer-Laststrom punktet der transphorm GaN-HEMT TPH3205WS im TO-247-Gehäuse, über dessen Entwicklung dieser Fachartikel in "Bodo's Power" berichtet. Erste Entwicklungsmuster sind verfügbar; bis zur... mehr

»Nicht nur für Hochfrequenz«: Neue Fachartikel über Gallium-Nitrid-Halbleiter von transphorm

Viel wurde über Gallium-Nitrid-Leistungshalbleiter in den letzten Jahren vorhergesagt. Doch nun ist diese Technologie marktreif und die Bauteile sind lieferbar mehr

Transphorm GaN HeMTs bei HY-LINE Power Components ab Lager lieferbar

Der Hersteller Transphorm wird ab sofort vom Stromversorgungs- und Leistungselektronik-Spezialisten HY-LINE Power Components vertreten.Transphorm fertigt High Electron Mobility-Transistoren aus Gallium-Nitrid (GaN HEMTs) im TO220- und PQFN-Gehäuse.
... mehr

Transphorm Produktkatalog

Die GaN-Technologie von Transphorm
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E-Mail power@hy-line.de