MOSFETs, GaN-Schalter

Sowohl im Schaltnetzteil als auch in der Leistungselektronik entsteht ein Großteil der Verluste im Leistungsschalter. Um Schaltverluste und Durchlassverluste der Leistungsschalter zu verringern, werden die Technologien für den Aufbau der Schalter weiterentwickelt. Je nach Anforderung stehen verschiedene Topologien für den Aufbau des Halbleiters im Leistungsschalter zur Verfügung:

MOSFET auf Silizium-Basis
Dieses Arbeitspferd der Elektronik steht für verschiedene Spannungen und Ströme zur Verfügung. Es ist eine ausgereifte Technologie zu einem guten Preis-/Leistungsverhältnis.

HEMT (High Electron Mobility Transistor) auf GaN-Basis
Diese neue Technologie eignet sich besonders für hohe Schaltfrequenzen. Sie bietet deutlich geringere Verluste und ermöglicht dadurch kompaktere Geräte und bessere Wirkungsgrade.

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MOSFETs

Eine Stärke von APEC sind Power-MOSFETs im Leistungsbereich von 0,3 bis 300 Watt. Weitere Produktlinien sind Schalt- und Linearregler sowie Einzel-IGBTs für Ströme bis zu 150 A.

MOSFET-Module

3-Phasen Vollbrücken-Module auf MOSFET-Basis mit Sperrspannungen von 75, 100 oder 150 V bei Strömen von 100, 200 oder 300 A.

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