NX-Gehäuse (S-Serie, S1-Serie, SA-Serie)

6. Generation IGBT Module im 17-mm-Gehäuse

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  • 6. Generation IGBT mit CSTBT(TM) Chip Technologie
  • Hilfs- C-Terminal verfügbar für N-side IGBT
  • Sehr guter thermischer Übergang durch AlN Isolations-Substrat
  • Für 1200V Module: V(CEsat) (Chip) = 1,7V (typ) @ T(j) = 25°C; große SOA @ V(cc) = 850V
  • Für 1700V Module: V(CEsat) (Chip) = 2,1V (typ) @ T(j) = 25°C; große SOA @ V(cc) = 1200V
  • Mehr als 10(us) Kurzschlussfestigkeit und sehr gutes Verhalten bei Parallelschaltung
  • Neuer Freilaufdioden - Chip mit optimierten Trade-Off zwischen V(F) und E(rr)
  • Tj(max) = 175°C
  • Reduzierte Verlustleistung
  • Reduziertes Rauschen
  • Niedrige Durchlassspannung
  • Nur noch 17 mm Bauhöhe (neuer Industriestandard)
  • Verbesserte Figure Of Merit (FOM)
NX-Serie (PDF 1,1 MB)

Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM).

Line-up NX-Package
1.03 6th Generation IGBT Modules NX-Package
(S-Series, S1-Series, SA-Series)
VCES
(V)
IC (A)
35 50 75 100 150 200
1200 CM35MXA-24S CM50MXA-24S CM75MXA-24S CM100MXA-24S
1700 CM75MXA-34SA**
1200
CM75RX-24S CM100RX-24S CM150RX-24S
CM100RX-24S1 CM150RX-24S1
CM200RXL-24S*
1700 CM75RX-34SA CM150RXL-34SA*
1200
CM75TX-24S CM100TX-24S CM150TX-24S
CM100TX-24S1 CM150TX-24S1
1700
Circuit Diagram
Symbol
Symbol
VCES
(V)
VCES
(V)
IC (A)
IC (A)
150 200 300
1200 CM150EXS-24S CM200EXS-24S CM300EXS-24S
EX
1700 CM200EXS-34SA
150 200/225 300 450 600 1000
1200
CM150DX-24S CM200DX-24S CM300DX-24S CM450DX-24S CM600DXL-24S* CM1000DXL-24S*
CM225DX-24S1 CM300DX-24S1 CM450DX-24S1 CM600DX-24S1
1700 CM150DX-34SA CM200DX-34SA CM300DX-34SA CM450DXL-34SA* CM600DXL-34SA*
T
(6 in 1)
R
(7 in 1)
M
(CIB)
D
(2 in 1)

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