Standard-Gehäuse A-Serie

5. Generation IGBT Module


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  • Kombination aus 5. Generation CSTB(TM) (Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor) Chip technologie mit einem LPT (Light Punch-through) wafer für:
  • Geringes V(CEsat)
  • Hohe Kurzschlussfestigkeit
  • Reduzierte Gate-Kapazität (geringer Treiberstrom)
  • Sehr guter thermischer Übergang durch AlN Isolations-Substrat
  • Niedrige innere Induktivität
  • Geringe Durchlassverluste
  • Geringer thermischer Übergangswiderstand
  • Hohe Lastwechselfestigkeit
  • Kostenoptimierte Größe des IGBT-Chips
IGBT A-Serie (PDF 1,1 MB)

Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM).

21
1
Symbol
IC (A)
1.06 5th Generation IGBT Modules Standard-Package (A-Series)
75 100 150 200 300 400 500 600 800
1200 CM400HA-24A
CM600HA-24A
CM600HB-24A
H
1700 CM500HA-34A
1200 CM100DY-24A CM150DY-24A CM200DY-24A CM300DY-24A CM400DY-24A CM600DY-24A
D
1700 CM75DY-34A CM100DY-34A CM150DY-34A CM200DY-34A CM300DY-34A CM400DY-34A

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