Standard-Gehäuse NF-Serie

5. Generation IGBT Module


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  • Verbindet 5. Generation CSTB(TM) (Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor) Chip Technologie mit einem LPT (Light Punch-through) Wafer.
  • Standard Halbbrücken-Gehäuse entspricht der gut eingeführten H-Serie
  • Sehr guter thermischer Übergang durch AlN Isolations-Substrat
  • Niedrige innere Induktivität
  • auch erhältlich als Mega Power Dual IGBT Modul 1200V (900 & 1400A) und 1700V (1000A) für Höchstleistungs UPS, Distributed Power Generation and General Pupose Inverters (Chopper modules on request)
  • Geringe Durchlassverluste
  • Hohe Kurzschluss-Beständigkeit (Eigensättigung)
  • Reduzierte Gate-Kapazität (geringer Treiberstrom)
  • Geringer thermischer Übergangswiderstand
  • Hohe Lastwechselfestigkeit
  • Optimiertes Replacement für die H-Serie
IGBT NF-Serie (PDF 0,9 MB)

Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM).

Line-up NF-Series
Circuit Diagram
Symbol
VCES
(V)
IC (A)
300 400 600 900 1000 1400
600 CM300DY-12NF CM400DY-12NF CM600DY-12NF
D 1200 CM300DY-24NF CM400DY-24NF CM600DU-24NF CM900DUC-24NF* CM1400DUC-24NF*
1700 CM1000DUC-34NF*
*Mega Power Dual IGBT Modules (NF-Series). Chopper Modules for 1000A/1700V and 1400A/1200V available.
Mega Power Dual IGBT Modules with 6th Gen. IGBT chips (S-Series) see page 17.
600 Volt IGBT Modules NF-Series (2 in 1)
CM150DY-12NF 600 150 2500 1.7 2.2 23 2.8 0.9 120 100 300 300 2.6 2.5 150 0.160 0.290 0.02 NF1
CM200DY-12NF 600 200 2500 1.7 2.2 30 3.7 1.2 120 120 300 300 2.6 3.5 150 0.130 0.220 0.02 NF1
CM300DY-12NF 600 300 2500 1.7 2.2 45 5.5 1.8 120 120 350 300 2.6 5.5 150 0.093 0.160 0.02 FN1
CM400DY-12NF 600 400 2500 1.7 2.2 60 7.3 2.4 300 200 450 300 2.6 6.8 250 0.066 0.110 0.02 NF2
CM600DY-12NF 600 600 2500 1.7 2.2 90 11 3.6 500 300 750 300 2.6 8.7 250 0.046 0.078 0.02 NF3
600 Volt IGBT Modules NF-Series (6 in 1)
CM75TL-12NF

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