T-Serie - 7. Generation

7. Generation IGBT Module im 17-mm-NX-Gehäuse und im 62-mm-Standard-Gehäuse

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  • 7. Generation IGBT-Chips
  • Hilfs-C-Terminal verfügbar für n-side-IGBT
  • Sehr guter thermischer Übergang durch Thick Metal Substrate (TMS)
  • 4 kV rms Isolationsspannung
  • Montagefertig mit neuartiger Wärmeleitpaste, die im Lieferzustand fest ist und nach Montage und Inbetriebnahme bei 45°C schmilzt
  • Für 1200V Module: V(CEsat) (Chip) = 1,7V (typ) @ T(j) = 25°C; große SOA @ V(cc) = 850V
  • Für 1700V Module: V(CEsat) (Chip) = 2,1V (typ) @ T(j) = 25°C; große SOA @ V(cc) = 1200V
  • Mehr als 10 µs Kurzschlussfestigkeit und sehr gutes Verhalten bei Parallelschaltung
  • Bis zu 600 A Schaltstrom im 62-mm-Standardgehäuse
  • Neuer Freilaufdioden - Chip mit optimierten Trade-Off zwischen V(F) und E(rr)
  • Tj(max) = 175°C
  • Reduzierte Verlustleistung
  • Reduziertes Rauschen
  • Niedrige Durchlassspannung
  • Schnellere Schaltzeiten
  • Nur noch 17 mm Bauhöhe (neuer Industriestandard) oder Standard 62 mm
  • Verbesserte Figure Of Merit (FOM)
IGBT-Module T-Serie (PDF 440 kB)
Fachartikel über die Mitsubishi-T-Serie in Bodo's Power Systems Oktober 2015
7thGeneration IGBT Modules –NX-Type.pdf
7thGeneration IGBT Modules –Standard-Type.pdf

Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM).

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