L-Serie

5. Generation CSTBT IPM

Wie im Blockschaltbild zu den IPM dargestellt, sind neben den IGBT-Chips diverse Treiber-, Überwachungs- und Schutzfunktionen im Modul integriert. Diese Funktionen sind optimal auf den verwendeten Chip abgestimmt. Durch diesen kompakten Aufbau eröffnen sich Möglichkeiten, die nur der Chiphersteller selbst realisieren kann, da direkt auf Chipebene "ohne lange Wege und Verzögerungszeiten" reagiert werden kann.

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  • 5. Generation IGBT Chip mit CSTBT™ Technologie
  • Typical V(CEsat) = 1,8V @ Tj = 125°C for 660V and 1,9V @ Tj = 125°C for 1200V
  • Integrated turn-on speed controller circuit optimises EMI performance
  • On-chip temperature sensor for Tj detection of CSTBT™ chip
  • Detection, protection and status indication circuits for short-circuit, over-temperature, and under-voltage
  • Monolithic gate drive & production logic

 

- Gleiche Chip-Eigenschaften wie L-Serie
- Treiber optimiert für Schaltfreq. bis 30kHz 
- 600 V, 50 A oder 75 A
- Geringes Rauschen (kontrolliertes di/dt) 
- 1-Phasen H-Brücke + IGBT für Aufwärtswandler

IPM_for_Photov-Serie-hy.pdf

Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM).

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2
IC (A)
200 300 450 600
600 PM450CLA060 PM600CLA060
C
1200 PM200CLA120 PM300CLA120 PM450CLA120

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