V1-Serie

5. Generation CSTB IPMs

Wie im Blockschaltbild zu den IPM dargestellt, sind neben den IGBT-Chips diverse Treiber-, Überwachungs- und Schutzfunktionen im Modul integriert. Diese Funktionen sind optimal auf den verwendeten Chip abgestimmt. Durch diesen kompakten Aufbau eröffnen sich Möglichkeiten, die nur der Chiphersteller selbst realisieren kann, da direkt auf Chipebene "ohne lange Wege und Verzögerungszeiten" reagiert werden kann.

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  • Low loss by 5th Generation CSTBT(TM)
    for 600V moduls:
    V(CEsat)(@Tj = 125°C) = 1,90V
    for 1200V modules:
    V(CEsat) (@Tj = 125°C) = 1,85V
  • Optimized therminal sensor on chip
  • Mechanical compatibility with previous V-Series Small Package
  • Short circuit protection (SC)
  • Control supply under voltage protection (UV)
  • Over temperature (OT) protection (on chip temperature sensor)
  • Fault signal output in case of a failure (FO)

- 5. Generation IGBT-Chip mit CSTBT-Technologie
- Geringe Durchlassverluste (Vce(sat) = typ. 1,9V @ 1200V; typ. 1,5V @ 600V)
- Temperatursensor auf jedem Chip
- Gute EMV durch integrierte Anschaltzeit-Anpassung

- Treiberschaltung mit Überwachungsfunktionen (KS, Übertemp., UVLO) integriert
- kompakter Aufbau

Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM).

35
2
Circuit IC (A)
Diagram
Symbol
200 300 400 450 600 800
600 PM400DV1A060 PM600DV1A060 PM800DV1B060
D
1200 PM200DV1A120 PM300DV1A120 PM450DV1A120

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