Anwenderforum Leistungshalbleiter

22.11.2017 - 23.11.2017 | Konferenzzentrum München Hanns-Seidel-Haus, Lazarettstr. 33, München

Leistungshalbleiter sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch der Markt für MOSFET, IGBT & Co. ist sehr breit; es gibt eine Menge von Herstellern, die solche Komponenten in einer nicht zu überblickenden Vielfalt anbieten. Hinzu kommen noch die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Wie soll sich der Anwender, dessen Stärken zuweilen nicht in der Leistungselektronik liegen, in diesem »Dschungel« zurechtfinden und den für seine Anwendung passenden Leistungshalbleiter identifizieren? Wo liegen die Vor- und Nachteile der unterschiedlichen Leistungshalbleiter-Lösungen?

Hilfestellung sollen Entwickler auf dem »Anwenderforum Leistungshalbleiter« erhalten, das Markt&Technik sowie DESIGN&ELEKTRONIK vom 22. bis 23. November 2017 in München veranstalten. Diese Veranstaltung soll die wichtigsten Grundlagen und Anwendungshinweise zu MOSFET & Co. vermitteln. Reicht noch ein MOSFET für die angestrebte Applikation, oder wäre der Übergang auf GaN-Leistungshalbleiter sinnvoll? Würde der ausgewählte Treiber-IC auch mit anderen Leistungshalbleiter-Technologien funktionieren? Mit welchen Varianzen ist bezüglich den Angaben im Datenblatt zu rechnen? Welche Aspekte sind für eine qualifizierte Vorauswahl entscheidend, und welche weitergehenden Fragen an die Hersteller, erleichtern Entscheidungsfindung und Sourcing?

An beiden Tagen ist HY-LINE Power Components mit einem Stand auf der Fachausstellung des Anwenderforums Leistungshalbleiter vertreten. Wir zeigen unter anderem:

  • AC/DC- und DC/DC-Stromversorgungsmodule höchster Zuverlässigkeit von 0,25 bis 1200 W, auch für IGBT-Highside-Versorgung
  • GaN-HEMT-Schalter: Wideband-Halbleiter für besonders effektive, kompakte und hochtaktende Stromversorgungen
  • Isolierende, bidirektionale Datenkoppler mit VDE-Zertifizierung und Kriechstrecken über 8 mm sowie bis zu 6 kV Isolationsspannung für höchste Datenraten bis zu 100 Mbit/s und unterschiedlichen Bussen wie I²C, CAN, RS485, RS422 oder Profibus sowie Microcontroller
  • Induktivitäten: von SMD bis Hochleistung, auch kundenspezifisch
  • Kapazitäten: Superkondensatoren bis zu 3400 F, über 20 Jahren Lebensdauer und geringster Selbstentladung als Batterieersatz für wartungsfreie Speichersicherung und USVs, aber auch andere anspruchvolle Leistungs-Anwendungen bis zu Elektrofahrzeugen

Außerdem führt Dr. Kurt Smith von Transphorm am  22. November um 14.00 Uhr ein Intensivseminar zum Thema "GaN Power Switch Reliability" durch.

Muzaffer Albayrak von Mitsubishi Electric hält am 23. November um 16.30 Uhr einen Vortrag über die G1-Serie, die 7. Generation der Intelligenten Power Module (IPM), deren Technologie und Vorzüge.

Der Eintritt zur Fachausstellung ist frei, dazu können Sie sich beim Veranstalter vorab oder vor Ort registrieren (Frau Juliane Heger, jheger at weka-fachmedien.de). Zum Vortragsprogramm können Sie sich auf der Website des Veranstalters anmelden.

Wir freuen uns auf Ihren Besuch!

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