Die IGBT-Module von Mitsubishi weisen eine ausgereifte Chip-Technologie auf. Die CSTBT (Carrier Stored Bipolar Transistor) Technologie wurde von Mitsubishi entwickelt und wird in allen neuen IGBT-Modulen eingesetzt. Mit Hilfe dieses Chipaufbaus konnte Mitsubishi bei gleicher Stromtragfähigkeit die Durchlass- und Schaltverluste im Chip verringern. Die Gehäuseformen sind auf Minimierung der parasitären Effekte optimiert. Das durchdachte Konzept zwischen Chip und Gehäuse bietet in der Anwendung viele Vorteile, zu denen insbesondere die Zuverlässigkeit und die extrem hohe Lastwechselhäufigkeit gehören.
Whitepaper
Melcosim berechnet die Verlustleistungen und das Temperaturverhalten der IGBT-Module in...
IGBT-Module der 7. Generation mit 1200V und 1700V Sperrspannung im Gehäuse mit 17 mm Bauhöhe sowie im 62-mm-Standard-Gehäuse. Dual-, Six- und Seven-Pack.
IGBT Module mit 1200V und 1700V Sperrspannung im Gehäuse mit 17 mm Bauhöhe.
Dual-, Six- und Seven-Pack
IGBT Module im Standard-Gehäuse (62mm)
IGBT-Chip und Gehäuse sind für Schaltfrequenzen bis 50 kHz optimiert.
5. Generation CSTBT-Chip im Standard-Gehäuse (62mm)
Kostenoptimierte Größe des IGBT Chip
IGBT-Module im Standard Gehäuse (62mm) für industrielle Anwendungen