Neu Qspeed Dioden

Leistungsfähig wie SiC

Qspeed-Dioden kombinieren die Vorteile von PIN-Dotierung und Schottky-Übergängen so effektiv, dass sie zum Silizium-Preis die Fähigkeiten von SiC-Dioden bieten. Sie sind sowohl als Ausgangsgleichrichter in Schaltnetzteilen als auch in der PFC-Schaltung sehr effizient, können den Wirkungsgrad erhöhen, die Belastung der Schalthalbleiter senken und die elektromagnetische Verträglichkeit aufgrund schnellen, aber nicht harten Abschaltens verbessern.

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  1. Bis zu 600 V Sperrspannung
  2. Bis zu 30 A mittlerer Dauerstrom
  3. Doppeldioden mit gemeinsamer Kathode verfügbar
  4. Q-Serie: besonders sanftes Schalten, geringe Störungen
  5. X-Serie: geringste Durchlassverluste
  6. H-Serie: Geringe Schaltverluste
AN-301_1.3_201101.pdf
AN-302_1.3_201101.pdf
Broschüre - Leistungselektronik (PDF 16,8)
miniQspeedweb_PSG.pdf

Qspeed-Dioden für PFC-Applikationen

Die Vorteile der Qspeed-Dioden in PFC-Schaltungen

Qspeed-Dioden als Ausgangsgleichrichter

Die Vorteile von Qspeed-Dioden in Ausgangsgleichrichtern von Schaltnetzteilen

Qspeed-Dioden - ein Überblick

Wo liegen die Vorzüge von Qspeed Dioden gegenüber Standard-Ultrafast-Dioden?

Grundlagen der Qspeed-Dioden

Qspeed diodes have the lowest QRR of any Silicon diode. Their recovery characteristics increase efficiency, reduce EMI and eliminate snubbers.

Power Integrations bietet Bausteine für energieffiziente AC/DC-Stromversorgungen, auch für LEDs, sowie hochintegrierte IGBT-Treiber. Basierend auf jahrzehntelanger Erfahrung wurden für die Treiber- und Überwachungsfunktionen ASICs entwickelt, die zusammen mit den induktiven Übertragern das Kernstück der Treiber bilden. Umfangreichen Applikationssupport beim Design wird angeboten.

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